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產(chǎn)品名稱：推出現(xiàn)貨四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻KDB-2B
產(chǎn)品型號：KDB-2B
產(chǎn)品廠商：同德
產(chǎn)品文檔：

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簡單介紹：

KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻，該方法操作簡單，測量**。儀器特點(diǎn)如下： 1、配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時(shí)，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時(shí)監(jiān)測全過程中的電流變化，使操作更簡便，測量更**。

詳情介紹：

KDB-2B為四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻，該方法操作簡單，測量**。
儀器特點(diǎn)如下：
1、配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時(shí)，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時(shí)監(jiān)測全過程中的電流變化，使操作更簡便，測量更**。
數(shù)字電壓表量程：0—19.999mV  靈敏度：1μV  輸入阻抗：1000ΜΩ
基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿度) ；
2、方塊電阻測量范圍：1×10-5～1.9Ω/□；
3、電流量程分兩檔：100mA和1000mA。

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產(chǎn)品名稱：推出現(xiàn)貨四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻KDB-2B